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化學機械拋光機采用全局平坦化(CMP)技術,可同時實現表麵材料的均勻去除與高精度平整,有效解決傳統研磨方式僅能局部平整、易產生劃痕與應力損傷的問題。
設備通過精準控製拋光壓力、拋光盤轉速、拋光液流量與配比,實現不同材料、不同厚度晶圓的穩定加工,廣泛適用於矽晶圓、介質層、金屬層、化合物半導體等多種材質的平坦化需求。
設備搭載智能閉環控製係統,可實時監測工藝參數、自動補償偏差、穩定去除速率,有效降低表麵缺陷、劃痕、殘留與均勻性差等問題,大幅提升芯片製造一致性與良率。
隨著半導體製程不斷向更小節點推進,化學機械拋光機在晶圓處理、先進封裝、異質集成等領域的作用愈發重要,已成為高端製造中不可或缺的關鍵裝備。




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